涨价”“缺货”“超等周期”……2025年下半年的存储市场，正迎来一场由AI周全驱动的财产厘革。虽然说存储行业是一个周期性行业，但本轮周期与以往存于较年夜的不同。

于11月27日举办的MTS2026上，集邦咨询（TrendForce）资深研究副总司理吴雅婷指出，当前存储财产，特别是于DRAM范畴，正进入一个由AI与办事器需求主导的 超等周期 ；集邦咨询研究司理罗智文则直言，闪存市场于本年9月以后，同样成为了驱动整个存储市场行业的要害变量。

两位阐发师的判定配合指向一个焦点结论：存储财产已经离别传统周期颠簸，进入由AI界说的新阶段。

2026年DRAM均价将同比上涨58%

集邦咨询资（TrendForce）深研究副总司理吴雅婷

据吴雅婷阐发，AI与办事器对于DRAM的耗损正之前所未有的速率增加。数据显示，2024年AI与办事器耗损的DRAM占比为46%，2025年升至56%，2026年估计将达66%。 这不仅是HBM的产能挤占，LPDDR、GraphicsDRAM等险些所有内存种别都面对紧缺。

特别值患上存眷的是，AI运用正从练习向推理扩大，致使LPDDR5等传统挪动内存也面对争取。吴雅婷吐露，英伟达等AI芯片厂商年夜量采购LPDDR5用在AI推理，其溢价高达50%-60%，这进一步挤压了智能手机等消费电子产物的供给。

供需掉衡直接反应于价格上。集邦咨询猜测，2026年DRAM均价将同比上涨58%，总体产值初次冲破3000亿美元，同比增加85%。更严重的是，当前市场已经进入 轮流住手报价、竞价抢货 的模式。 每一一种DRAM产物都于缺货， 吴雅婷暗示， 轮流涨价的模式于2026年仍是主轴。

产能困局：新厂设置装备摆设滞后，供应增加有限

只管价格连续上涨，但产能增加却面对实际制约。吴雅婷暗示，三星P4L、SK海力士M15X等新产线最快也要到2027年下半年才能建成，以后还有需至少两个季度才能投产。

当前，市场的焦点抵牾是显著的供需掉衡。 即便本钱支出增长，2026年DRAM的供应增加也只有20%，而需求增加达26%，这关的供需缺口至少为6%，但于发急性采购情绪下，现实缺口可能会更为显著。 更严重的是，当前财产链库存均低在康健水位，于 抢不到货 的遍及焦急下，买方的现实采购量会远超其真实需求，进一步放年夜了供需缺口。

于闪存范畴，环境一样严重。罗智文暗示，各闪存原厂的本钱支出 真的很守旧 ，重要投入制程进级而非扩产。除了了铠侠有新厂房规划外，其他厂商均无年夜范围扩产规划。2026年闪存产能增加重要依赖制程进级及QLC比例晋升，估计产出增加21%，但仍难以满意需求。

HDD欠缺，QLCSSD救场，闪存市场迎迁移转变

集邦咨询（TrendForce）研究司理罗智文

罗智文于演讲中展现了一个要害迁移转变点：2025年9月，因HDD欠缺激发的连锁反映完全转变了闪存市场格式。

HDD交期长达52周，而AI数据中央设置装备摆设等不和， 罗智文注释道， 云端业者被迫转向年夜容量QLC企业级SSD来填补存储缺口。 据估算，2026年HDD市场存于150-200EB的缺口，而闪存仅能填补约100EB，残剩缺口没法弥补。

只管QLCeSSD（企业级SSD）的单元成本比HDD超出跨越约4倍，但罗智文算了一笔总账：采用eSSD代替HDD，可经由过程节省电力、冷却体系及机柜空间，降低数据中央总成本30%-40%。 这类环境下，4倍的价差已经不主要。

这一改变致使闪存市场于2025年第四序度呈现稀有暴涨，主流消费类闪存产物涨幅约20%到25%，晶圆价格涨幅高达95%-100%。 就算接管价格，也纷歧定能买到货， 罗智文形容道， 这类环境将连续整个2026年。

HBM领跑，HBF与AISSD突起

于AI存储架构中，HBM、HBF及AISSD正形成新的分层系统。

HBM作为 热资料 处置惩罚焦点，面对容量瓶颈。罗智文指出，纵然英伟达B300插满HBM，容量也仅288GB，难以满意年夜语言模子处置惩罚需求。加上HBM每一GB成本高达15.3美元，远高在QLCeSSD的每一GB0.065美元，是以催生了替换方案的需求。

他引入HBF（高带宽闪存）来做要害增补。 HBF就像推车，比HBM的 菜篮 容量更年夜，可装更多工具放于年夜厨阁下。 它采用3DNANDFlash与TSV技能，带宽到达传统NAND的数倍，于成本与机能间找到均衡点。

而AISSD则饰演 二厨 脚色，内置NPU预先处置惩罚数据，减轻GPU承担。 从1万条资猜中先找出100条最相干的请GPU处置惩罚，年夜幅晋升效率。

三者形成互补：HBM处置惩罚最优先资料，HBF卖力温资料层，AISSD过滤无关数据，传统SSD与HDD仍卖力冷资料存储。

消费电子承压，办事器需求主导

今朝，存储格式变化正深刻影响下流财产。

吴雅婷指出，智能手机厂商面对两难：要末涨价，要末降低单机内存容量。 2026年智能手机整机涨价已经不成防止。 于此配景下，集邦咨询已经将2026年智能手机出货增加率从本来的2%-3%下调至-2%，条记本电脑出货增加率也下调3%。

出货量下调重要反应了内存价格上涨带来的巨年夜成本压力。同时，罗智文增补说，2025年因政策等因素致使出货基数较高也是预期批改的缘故原由之一。 包括智能手机、条记本电脑于内的消费电子2025年的出货基期过高了。本年上半年受国补政策、美国商业战等因素的影响，许多终端厂商于提早备货出产，这拉高了本年的基期。

相反，办事器需求会连续强劲。据罗智文先容，2026年办事器闪存耗损将初次跨越手机，来岁办事器将耗损36.8%的闪存产能。

除了此以外，吴雅婷吐露，云办事厂商（CSP）为确保供给，与供给商的持久和谈（LTA）构和已经从2026年延长至2027甚至2028年，甚至呈现预先付款、资助供给商本钱支出以锁定产能的极度环境，这于已往从未发生。

超等周期 的特征与供给商话语权

超等周期 是集邦咨询阐发师针对于本轮存储行情的评价之一。与以往的任何一个周期差别，本轮周期不单连续时间久，并且水平也很是深。

吴雅婷甚至还有说： 我研究存储财产20年来 从未见过云云疯狂的环境 。 本轮行业上行并不是短时间颠簸，而是由AI与办事器需求布局性驱动的 超等周期 ，其强度与连续性远超以往。

与2016-2018年由通用办事器驱动的上行周期比拟，本轮周期将 走患上更远 。于媒体群访环节，吴雅婷吐露给出以上判定的缘故原由于在：

买方属性转变，从消费电子厂商变为本钱雄厚的云办事巨头，其对于价格的敏感度低，首要方针是保障供给；第二，产物繁杂度极高，HBM、各种DRAM等于有限产能中激烈竞逐。于此配景下，市场已经进入 竞价模式 ，供给商把握了远胜以往的话语权，买方必需接管更高的价格才能争夺到产能；她还有指出，只管供给商因赢利改善而增长本钱支出，但因为新厂房设置装备摆设周期漫长，对于2026年以致2027年的现实产能孝敬均很是有限。

除了此以外，本年存储市场还有呈现了DDR4与DDR5价格倒挂征象。于媒体群访环节，集邦咨询阐发师许家源做了具体阐释。

他注释说，这暗地里是深刻的财产变迁。一方面，所有主流供给商正将进步前辈制程产能全力转向利润更高的DDR5和HBM等产物，致使DDR4的供给总量逐年锐减；另外一方面，市场对于DDR4的存量需求依然坚实。

此时，供给便转向范围较小的原厂，而这些厂商采用的成熟制程成本布局相对于更高，从而垫高了DDR4的市场价格。他认为，于整个DRAM供给紧张的格式下，这类倒挂征象至少于整个2026年城市连续存于。

结语：存储财产的布局性子变

总而言之，存储财产正履历从 年夜宗商品 到 高繁杂度产物 ，从 消费电子驱动 到 AI与办事器驱动 的布局性子变。

吴雅婷给出结论： 咱们正于见证存储财产的布局性改变。 而罗智文则认为，2026年只是最先，存储财产还有将于AI海潮中继承重塑。

于这个由AI界说的存储新时代，产能、技能与价格的三重博弈才方才拉开序幕。

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