国际电子商情讯，本地时间2026年8月27日，SK海力士于美国印第安纳州西拉法叶普渡年夜学进行面向AI的存储器进步前辈封装出产基地奠定典礼。该基地总投资跨越40亿美元，规划在2029年下半年量产新一代HBM4E芯片，是SK海力士于美国设立的首个HBM出产据点。

采用 韩国晶圆＋美国封测 协同模式

奠定典礼于普渡年夜学霍洛威体育馆进行。据SK海力士官方新闻稿，该工场估计2028年10月完成无尘室设置装备摆设，2029年下半年启动新一代HBM量产；周全运营后将成为拥有约1000名员工的美国焦点HBM出产基地。CEO郭鲁正暗示，基地年产能计划为数十万片晶圆。据韩媒报导，这座占地约54万平方米的工场现实上已经在本年4月提早开工，地面钢布局已经可见。

印第安纳工场采用与韩国出产系统慎密毗连的运营方式：于韩国出产的进步前辈晶圆运抵印第安纳后，颠末进步前辈封装及测试，以 美国制造 HBM产物直接供给英伟达、微软、google等美国客户。值患上存眷的是，该基地量产的是第七代HBM4E而非当前运用在英伟达VeraRubin平台的第六代HBM4。业界阐发认为，这与英伟达等客户连续晋升AI加快器机能的需求紧密亲密相干。SK海力士此前已经按规划完成HBM4E样品出货，正按进度推进开发。

SK海力士将与该基地出产线的设置装备摆设同步构建 进步前辈封装研发测试床 ，以便与客户、年夜学和贸易伙伴配合开发下一代封装技能，快速推进原型试制与机能验证。项目估计于当地创造约7000个直接和间接就业岗亭，并动员100余家互助伙伴形成半导体生态。该公司还有与普渡年夜学签订研发互助体谅备忘录，配合开发下一代进步前辈封装与体系集成技能，并规划经由过程该互助吸引美国中西部工程人材。

SK海力士CEO定调：存储欠缺延续至2030年末

于开工典礼上，郭鲁正暗示： 将于会聚最优质客户、研发资源和生态体系的美国，成为最受相信的互助伙伴 。此前据路透社报导，他估计当前存储芯片欠缺将连续至2030年末，并称未看到存储周期较着下行的迹象，纵然需求放缓也属在暖和调解而非急剧下滑，对于2030年以后的瞻望其实不担心。CounterpointResearch数据显示，2026年第一季度SK海力士占全世界HBM营收的58%，三星电子与美光各占21%。

据悉，该项目受美国《芯片与科学法案》撑持，美国当局在2024年12月敲定提供4.58亿美元直接拨款和最高5亿美元贷款。SK集团副会长俞柾准于典礼上暗示，到2030年SK集团于美国的总投资和资产范围将跨越450亿美元。于英伟达8月26日财报给出下一财年营收增加70%指引、AI算力需求连续升温的配景下，SK海力士美国工场的落地，标记着HBM供给链 美国本土化 迈出要害一步，也将全世界HBM产能竞赛从亚洲延长至北美。

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