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jdb电子官网-铠侠与闪迪联合投资310亿美元扩建日本工厂,新建K3厂房瞄准AI需求

发布时间:2026-09-06 16:50:53

国际电子商情28日讯8月27日,铠侠股份有限公司与闪迪股份有限公司结合公布,规划于得到当局撑持的环境下,在2032年前于日本投资约5万亿日元(约合310亿美元),用在扩建四日市及北上工场的持续出产举措措施设置装备摆设,以和相干基础举措措施及技能的完美。两家公司暗示,此项投资旨于进一步增强两边长达25年的合资互助瓜葛,促成闪存持久不变供给,满意人工智能及数据社会日趋增加的需求。已往25年来,两家公司已经于日本投资约9万亿日元(约合500亿美元),鞭策了闪存技能的立异。

铠侠总裁兼首席履行官太田博夫暗示,这次互助进一步巩固了与闪迪的持久互助伙伴瓜葛,也表现了铠侠致力在鞭策人工智能社会成长的坚定承诺,铠侠将精准满意人工智能社会成长所需的高容量、高机能及高能效闪存需求。

闪迪董事长兼首席履行官DavidGoeckeler暗示,这项投资规划是一项要害举措,旨于确保可以或许满意客户日趋增加的技能需求,切合公司的营业战略及财政引导目标,同时信赖它将为运营地点地的社区创造新的经济机缘,并成为美日经济互助的意味性乐成案例。

本年1月,铠侠及闪迪将两边于四日市工场的合资和谈延伸至2034年12月。该合资企业已经运营跨越25年,两边于闪存开发及前端出产方面开展互助。

同日,铠侠还有公布已经最先为日本岩手县北上市工场新建第三座出产厂房(Fab3/K3)举行园地预备等相干事情,以扩展进步前辈3D闪存BiCSFLASH产能。Fab3将建在现有Fab2南侧,方针在2029财年最先运营。

据日经新闻报导,该新厂投资范围跨越1万亿日元(约合68亿美元),将重要用在出产铠侠最新的高密度3DNANDFlash芯片,以应答AI办事器对于高机能存储芯片的旺盛需求。铠侠将与闪迪配合投资此项目,估计该年夜范围投资项目将得到日本经济财产省的补助。今朝,铠侠已经最先与部门半导体装备制造商联系采购事宜。

铠侠暗示,跟着智能体AI、物理AI及端侧AI成长,中持久闪存市场估计将连续年夜幅增加。公司将经由过程设置装备摆设Fab3扩展产能并确保进步前辈闪存产物不变供给。Fab3的详细设置装备摆设进度及装备投资规划将按照市场趋向确定,相干投资取决在当局撑持。

有阐发指出,于全世界NAND闪存市场,铠侠今朝排名第三,仅次在三星电子及SK海力士。面临两家韩国竞争敌手此前公布的巨额投资规划,铠侠这次加码建厂被视为其连结竞争力的要害举措。值患上留意的是,铠侠已经在上月最先了其第十代BiCSFlash重叠式NANDFlash的出货,为新厂将来量产更进步前辈的存储产物奠基了技能基础。

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